| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 60V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 600mA (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | - |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 15nC @ 15V |
| Vgs (ماكس) | - |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 250pF @ 25V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | - |
| درجة حرارة التشغيل | - |
| نوع التركيب | Through Hole |
| حزمة جهاز المورد | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| العبوة / العلبة | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
