يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 40V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 217A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 1.2 mOhm @ 132A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs (ماكس) | ±20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 6680pF @ 25V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 96W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | DirectFET™ Isometric ME |
العبوة / العلبة | DirectFET™ Isometric ME |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |