يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 100V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 62 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (ماكس) | ±20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 530pF @ 25V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | DIRECTFET™ SH |
العبوة / العلبة | DirectFET™ Isometric SH |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |