يكتب | وصف |
حالة الجزء | Obsolete |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 19A (Ta), 106A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 5 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
Vgs (ماكس) | ±20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 3765pF @ 20V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | DIRECTFET™ MX |
العبوة / العلبة | DirectFET™ Isometric MX |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |