| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع FET | N-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 650V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 9A (Tc) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 385 mOhm @ 5.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (ماكس) | ±20V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 790pF @ 100V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 83W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| حزمة جهاز المورد | PG-TO262-3 |
| العبوة / العلبة | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
