| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع IGBT | - |
| إعدادات | 2 Independent |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 3300V |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 660A |
| أقصى القوة | 4800W |
| Vce (on) (Max) @ Vge، Ic | 4.25V @ 15V, 400A |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 5mA |
| سعة الإدخال (Cies) @ Vce | 50nF @ 25V |
| إدخال | Standard |
| NTC الثرمستور | No |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C |
| نوع التركيب | Chassis Mount |
| العبوة / العلبة | Module |
| حزمة جهاز المورد | Module |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
