يكتب | وصف |
حالة الجزء | Obsolete |
---|---|
نوع FET | N and P-Channel |
ميزة FET | Logic Level Gate |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 4.1A, 3.4A |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 80 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 282pF @ 10V |
أقصى القوة | 900mW |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
حزمة جهاز المورد | 8-SOIC |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |