| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 25V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 20A, 35A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 2375pF @ 13V |
| أقصى القوة | 2.1W, 2.3W |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-PowerWDFN |
| حزمة جهاز المورد | Power Clip 56 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
