يكتب | وصف |
حالة الجزء | Obsolete |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 3A (Ta) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (ماكس) | ±8V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 435pF @ 10V |
ميزة FET | Schottky Diode (Isolated) |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1.4W (Ta) |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | MicroFET 2x2 Thin |
العبوة / العلبة | 6-UDFN Exposed Pad |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |