| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| تكوين مدفوعة | High-Side |
| نوع القناة | Single |
| عدد السائقين | 1 |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET |
| الجهد - العرض | 10V ~ 20V |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | - |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | 250mA, 500mA |
| نوع الإدخال | Inverting |
| الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | 600V |
| وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 15ns, 10ns |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOIC |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
