يكتب | وصف |
حالة الجزء | Not For New Designs |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 1A (Ta) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Vgs (ماكس) | ±12V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 150pF @ 10V |
ميزة FET | Schottky Diode (Body) |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 700mW (Ta) |
درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | 6-WEMT |
العبوة / العلبة | SOT-563, SOT-666 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |