يكتب | وصف |
حالة الجزء | Not For New Designs |
---|---|
نوع الترانزستور | NPN - Pre-Biased |
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 100mA |
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
المقاوم - القاعدة (R1) | 4.7 kOhms |
المقاوم - قاعدة الباعث (R2) | - |
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 500nA (ICBO) |
التردد - الانتقال | 250MHz |
أقصى القوة | 150mW |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | SC-75, SOT-416 |
حزمة جهاز المورد | EMT3 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |