| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Preliminary |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 25V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 3.9A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Vgs (ماكس) | -6V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 850pF @ 10V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 940mW (Ta) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | U-WLB1515-9 |
| العبوة / العلبة | 9-UFBGA, WLBGA |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
