| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 8V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 5A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 14.6nC @ 4.5V |
| Vgs (ماكس) | -6V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 2275pF @ 4V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1.7W (Ta) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | 9-DSBGA (1.5x1.5) |
| العبوة / العلبة | 9-UFBGA, DSBGA |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
