| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 4 |
| عدد المدخلات | 2 |
| سمات | - |
| الجهد - العرض | 3V ~ 18V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | 4µA |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | 3.4mA, 3.4mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 0.9V ~ 4V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 3.6V ~ 10.8V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 130ns @ 15V, 50pF |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 125°C |
| نوع التركيب | Through Hole |
| حزمة جهاز المورد | 14-PDIP |
| العبوة / العلبة | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
