| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 2 |
| عدد المدخلات | 2 |
| سمات | Open Drain |
| الجهد - العرض | 3V ~ 18V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | 4µA |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | -, 68mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 1.5V ~ 4V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 3.5V ~ 11V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 100ns @ 15V, 50pF |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 125°C |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOIC |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
