| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| ميزة FET | Silicon Carbide (SiC) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 444A (Tc) |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 105mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | - |
| أقصى القوة | 3000W |
| درجة حرارة التشغيل | 175°C (TJ) |
| نوع التركيب | - |
| العبوة / العلبة | Module |
| حزمة جهاز المورد | Module |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
