يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
ميزة FET | Silicon Carbide (SiC) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 193A (Tc) |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 378nC @ 20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
أقصى القوة | 925W |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Chassis Mount |
العبوة / العلبة | Module |
حزمة جهاز المورد | Module |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |