| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 200V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 15.2A (Tc) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 90 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
| Vgs (ماكس) | ±20V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 920pF @ 100V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 62.5W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | PG-TSDSON-8 |
| العبوة / العلبة | 8-PowerTDFN |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
