| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge |
| نوع القناة | Independent |
| عدد السائقين | 2 |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET |
| الجهد - العرض | 5V ~ 20V |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | 0.8V, 2.5V |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | 200mA, 350mA |
| نوع الإدخال | - |
| الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | 600V |
| وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 130ns, 50ns |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOIC |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
