| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 2 |
| عدد المدخلات | 2 |
| سمات | - |
| الجهد - العرض | 3.3V ~ 5V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | 4µA |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | 32mA, 32mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 0.1V ~ 0.8V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 0.95V ~ 3.4V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 4.2ns @ 5V, 50pF |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | 8-X2SON (1.35x0.8) |
| العبوة / العلبة | 8-XFDFN Exposed Pad |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
