| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 4 |
| عدد المدخلات | 2 |
| سمات | - |
| الجهد - العرض | 2V ~ 6V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | 20µA |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | 5.2mA, 5.2mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 0.5V ~ 1.8V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 1.5V ~ 4.2V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 21ns @ 6V, 50pF |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | Die |
| العبوة / العلبة | Die |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
