| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 4 |
| عدد المدخلات | 2 |
| سمات | - |
| الجهد - العرض | 3V ~ 5.5V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | 4µA |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | 24mA, 24mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 0.9V ~ 1.65V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 2.1V ~ 3.85V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 6.5ns @ 5V, 50pF |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C |
| نوع التركيب | Through Hole |
| حزمة جهاز المورد | 16-PDIP |
| العبوة / العلبة | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
