يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 60V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 370mA (Ta) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 4.2 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 0.84nC @ 10V |
Vgs (ماكس) | ±20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 24.1pF @ 20V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | - |
درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | 3-CPH |
العبوة / العلبة | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |