يكتب | وصف |
حالة الجزء | Obsolete |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 200V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | - |
Vgs (ماكس) | ±20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 400pF @ 20V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1W (Ta), 10W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | U-G2 |
العبوة / العلبة | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |