| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side |
| نوع القناة | Independent |
| عدد السائقين | 2 |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| الجهد - العرض | 14.5V ~ 15.5V |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | - |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | 35A, 35A |
| نوع الإدخال | - |
| الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | 3300V |
| وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 20ns, 20ns |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | Module |
| حزمة جهاز المورد | Module |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
