| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge |
| نوع القناة | Independent |
| عدد السائقين | 2 |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET |
| الجهد - العرض | 14V ~ 18V |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | 0.8V, 2V |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | 1A, 2A |
| نوع الإدخال | Inverting |
| الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | 650V |
| وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 20ns, 20ns |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 18 Leads |
| حزمة جهاز المورد | PG-DSO-18-2 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
