نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.8ns, توريد الجهد - داخلي: 2.7V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 9.1ns, توريد الجهد - داخلي: 2.7V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 9.1ns, توريد الجهد - داخلي: 2.7V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.8ns, توريد الجهد - داخلي: 2.7V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 144, عدد البوابات: 3200,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 3000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.8ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 3000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 3000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.8ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.7V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 3000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 9.1ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 144, عدد البوابات: 3200,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 9.1ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 3000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
