يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Manganese Zinc Ferrite, الحث: 68µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 11.2A, التيار - التشبع: 10.7A,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Manganese Zinc Ferrite, الحث: 33µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 13A, التيار - التشبع: 16.3A,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 22µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 220mA, التيار - التشبع: 250mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 47mH, تسامح: ±10%, التصويت الحالي: 70mA, التيار - التشبع: 70mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 150mH, تسامح: ±5%, التصويت الحالي: 30mA, التيار - التشبع: 40mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 100mH, تسامح: ±10%, التصويت الحالي: 50mA, التيار - التشبع: 50mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 56nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 150mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 68nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 150mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 39nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 200mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 47nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 200mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 27nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 250mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 33nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 250mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 15nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 18nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 22nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 250mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 10nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 12nH, تسامح: ±2%, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 8.2nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 5.6nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 4.7nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 3.9nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 2.7nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 1.8nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 2.2nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 300mA,
يكتب: Thin Film, الحث: 1nH, تسامح: ±0.1nH, التصويت الحالي: 800mA,
يكتب: Multilayer, الحث: 10µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 500mA, التيار - التشبع: 350mA,
يكتب: Multilayer, الحث: 4.7µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 750mA, التيار - التشبع: 850mA,
يكتب: Multilayer, الحث: 6.8µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 700mA, التيار - التشبع: 600mA,
يكتب: Multilayer, الحث: 2.2µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 850mA, التيار - التشبع: 1.1A,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 27µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 4.3A, التيار - التشبع: 3.1A,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 2.5µH, تسامح: ±20%, التصويت الحالي: 8.4A, التيار - التشبع: 10.5A,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 47µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 250mA, التيار - التشبع: 200mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 22µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 410mA, التيار - التشبع: 300mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 33µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 325mA, التيار - التشبع: 260mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 22µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 350mA, التيار - التشبع: 270mA,
يكتب: Wirewound, المادة - الأساسية: Ferrite, الحث: 15µH, تسامح: ±30%, التصويت الحالي: 450mA, التيار - التشبع: 350mA,
