الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

PXAC201202FC-V2-R0

جزء الأسهم: 6448

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.2GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 28V,

PTVA120251EA-V2-R0

جزء الأسهم: 400

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.2GHz ~ 1.4GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 50V,

PTAB182002FC-V1-R0

جزء الأسهم: 6410

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.88GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 10µA,

CGHV40050F

جزء الأسهم: 410

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 0Hz ~ 4GHz, ربح: 12.5dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 6.3A,

PTFA080551E-V4-R0

جزء الأسهم: 6375

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 869MHz ~ 960MHz, ربح: 18.5dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 10µA,

CGHV27060MP

جزء الأسهم: 700

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 2.7GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 6.3A,

PTFB192503FL-V2-R250

جزء الأسهم: 86

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 30V,

PTVA093002ND-V1-R5

جزء الأسهم: 100

CGHV14250F

جزء الأسهم: 235

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 1.2GHz ~ 1.4GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 42mA,

PXAC182002FC-V1-R250

جزء الأسهم: 166

PXAC201602FC-V1-R0

جزء الأسهم: 157

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.02GHz, ربح: 17.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

PTVA120121M-V1-R1K

جزء الأسهم: 139

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 500MHz ~ 1.4GHz, ربح: 21.64dB, الجهد - اختبار: 48V, التصويت الحالي: 1µA,

CGHV40180F

جزء الأسهم: 339

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 0Hz ~ 1GHz, ربح: 24dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 12.1A,

PTFA211801E-V5-R250

جزء الأسهم: 6467

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.14GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

PTFB212503FL-V2-R250

جزء الأسهم: 107

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 18.1dB, الجهد - اختبار: 30V,

PTFC262157SH-V1-R250

جزء الأسهم: 172

PTFA080551E-V4-R250

جزء الأسهم: 6373

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 18.5dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 10µA,

PTVA030121EA-V1-R250

جزء الأسهم: 125

CGHV60040D-GP4

جزء الأسهم: 2936

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 6GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 50V,

PTFB213004F-V2-R0

جزء الأسهم: 143

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 30V,

CG2H40010F

جزء الأسهم: 749

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 8GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

PTFC261402FC-V1-R0

جزء الأسهم: 114

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.69GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 28V,

CGHV60075D5-GP4

جزء الأسهم: 1374

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 6GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 50V,

PTVA104501EH-V1-R250

جزء الأسهم: 137

PTFA041501E-V4-R0

جزء الأسهم: 6392

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 420MHz ~ 500MHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 1µA,

CGHV40100F

جزء الأسهم: 265

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 0Hz ~ 3GHz, ربح: 11dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 8.7A,

PXAC261002FC-V1-R250

جزء الأسهم: 117

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.69GHz, ربح: 15.1dB, الجهد - اختبار: 26V,

PTFB213004F-V2-R250

جزء الأسهم: 141

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 30V,

GTVA261701FA-V1-R2

جزء الأسهم: 124

PTVA035002EV-V1-R0

جزء الأسهم: 164

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 390MHz ~ 450MHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 50V,

PTRA093302FC-V1-R2

جزء الأسهم: 103

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 768MHz, ربح: 17.25dB, الجهد - اختبار: 48V, التصويت الحالي: 10µA,

PTFC262808FV-V1-R250

جزء الأسهم: 79

PTFB182503FL-V2-R0

جزء الأسهم: 79

تكرر: 1.88GHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 30V,

PTFA220121M-V4-R1K

جزء الأسهم: 163

PTFC210202FC-V1-R250

جزء الأسهم: 77

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.2GHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 28V,

PTRA097008NB-V1-R2

جزء الأسهم: 152

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 920MHz ~ 960MHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 10µA,