Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

BT148-400R,127
WeEn Semiconductors

BT148-400R,127

جزء الأسهم: 156270

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
BT168G,112
WeEn Semiconductors

BT168G,112

جزء الأسهم: 166452

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
BT151-500C,127
WeEn Semiconductors

BT151-500C,127

جزء الأسهم: 139588

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT150-500R,127
WeEn Semiconductors

BT150-500R,127

جزء الأسهم: 116281

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
BT151-650C,127
WeEn Semiconductors

BT151-650C,127

جزء الأسهم: 170938

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT151-1000RT,127
WeEn Semiconductors

BT151-1000RT,127

جزء الأسهم: 119721

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT151X-500C,127
WeEn Semiconductors

BT151X-500C,127

جزء الأسهم: 162954

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT152X-400R,127
WeEn Semiconductors

BT152X-400R,127

جزء الأسهم: 166866

الجهد - خارج الدولة: 450V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 32mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 13A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 20A,

قائمة الرغبات
BT151-800C,127
WeEn Semiconductors

BT151-800C,127

جزء الأسهم: 142713

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT300S-600R,118
WeEn Semiconductors

BT300S-600R,118

جزء الأسهم: 101279

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT258U-600R,127
WeEn Semiconductors

BT258U-600R,127

جزء الأسهم: 116203

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT258X-500R,127
WeEn Semiconductors

BT258X-500R,127

جزء الأسهم: 111997

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT152X-600R,127
WeEn Semiconductors

BT152X-600R,127

جزء الأسهم: 161955

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 32mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 13A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 20A,

قائمة الرغبات
BT151U-650C,127
WeEn Semiconductors

BT151U-650C,127

جزء الأسهم: 118814

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT258X-600R,127
WeEn Semiconductors

BT258X-600R,127

جزء الأسهم: 187207

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT151-500L,127
WeEn Semiconductors

BT151-500L,127

جزء الأسهم: 185506

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT151U-500C,127
WeEn Semiconductors

BT151U-500C,127

جزء الأسهم: 180380

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT152-500RT,127
WeEn Semiconductors

BT152-500RT,127

جزء الأسهم: 161945

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 32mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 13A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 20A,

قائمة الرغبات
BT258X-800R,127
WeEn Semiconductors

BT258X-800R,127

جزء الأسهم: 198728

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT168E,112
WeEn Semiconductors

BT168E,112

جزء الأسهم: 122581

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
BT169H,412
WeEn Semiconductors

BT169H,412

جزء الأسهم: 161065

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
BT258-800R,127
WeEn Semiconductors

BT258-800R,127

جزء الأسهم: 88284

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT151X-650R,127
WeEn Semiconductors

BT151X-650R,127

جزء الأسهم: 103178

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT152-600R,127
WeEn Semiconductors

BT152-600R,127

جزء الأسهم: 67227

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 32mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 13A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 20A,

قائمة الرغبات
BT150S-600R,118
WeEn Semiconductors

BT150S-600R,118

جزء الأسهم: 198489

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
BT258S-800R,118
WeEn Semiconductors

BT258S-800R,118

جزء الأسهم: 110173

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT168GWF,115
WeEn Semiconductors

BT168GWF,115

جزء الأسهم: 109839

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 450µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 630mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1A,

قائمة الرغبات
BT169G,126
WeEn Semiconductors

BT169G,126

جزء الأسهم: 100299

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
BT151-500RT,127
WeEn Semiconductors

BT151-500RT,127

جزء الأسهم: 122113

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

قائمة الرغبات
BT151X-800R/DG,127
WeEn Semiconductors

BT151X-800R/DG,127

جزء الأسهم: 103177

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT152X-800R,127
WeEn Semiconductors

BT152X-800R,127

جزء الأسهم: 63185

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 32mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 13A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 20A,

قائمة الرغبات
BT151S-500R,118
WeEn Semiconductors

BT151S-500R,118

جزء الأسهم: 118834

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
BT148W-600R,115
WeEn Semiconductors

BT148W-600R,115

جزء الأسهم: 150937

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 600mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1A,

قائمة الرغبات
BT258-500R,127
WeEn Semiconductors

BT258-500R,127

جزء الأسهم: 88283

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
BT148-600R,127
WeEn Semiconductors

BT148-600R,127

جزء الأسهم: 124119

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
BT258S-800LT,118
WeEn Semiconductors

BT258S-800LT,118

جزء الأسهم: 129154

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات