Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة

  • منزل، بيت
  •  
  • المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة
OPB817
TT Electronics/Optek Technology

OPB817

جزء الأسهم: 6067

الاستشعار عن بعد: 0.200" (5.08mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB871L51TX
TT Electronics/Optek Technology

OPB871L51TX

جزء الأسهم: 378

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB365T51
TT Electronics/Optek Technology

OPB365T51

جزء الأسهم: 5933

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB870P55TXV
TT Electronics/Optek Technology

OPB870P55TXV

جزء الأسهم: 339

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB881P51Z
TT Electronics/Optek Technology

OPB881P51Z

جزء الأسهم: 9672

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB830W51
TT Electronics/Optek Technology

OPB830W51

جزء الأسهم: 6055

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB390P11
TT Electronics/Optek Technology

OPB390P11

جزء الأسهم: 6128

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB882N55Z
TT Electronics/Optek Technology

OPB882N55Z

جزء الأسهم: 6007

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPS666
TT Electronics/Optek Technology

OPS666

جزء الأسهم: 62155

طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB861L51
TT Electronics/Optek Technology

OPB861L51

جزء الأسهم: 6083

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB871P55TXV
TT Electronics/Optek Technology

OPB871P55TXV

جزء الأسهم: 284

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB920CZ
TT Electronics/Optek Technology

OPB920CZ

جزء الأسهم: 6045

تكوين الإخراج: Totem Pole, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 20mA,

قائمة الرغبات
OPB822SD
TT Electronics/Optek Technology

OPB822SD

جزء الأسهم: 17808

الاستشعار عن بعد: 0.090" (2.29mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: 2 NPN, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB891P51
TT Electronics/Optek Technology

OPB891P51

جزء الأسهم: 9636

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB202
TT Electronics/Optek Technology

OPB202

جزء الأسهم: 5993

الاستشعار عن بعد: 0.110" (2.79mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB380N55
TT Electronics/Optek Technology

OPB380N55

جزء الأسهم: 6032

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB872N55TXV
TT Electronics/Optek Technology

OPB872N55TXV

جزء الأسهم: 348

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB891N55Z
TT Electronics/Optek Technology

OPB891N55Z

جزء الأسهم: 9648

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB870T51TXV
TT Electronics/Optek Technology

OPB870T51TXV

جزء الأسهم: 342

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB847TXV
TT Electronics/Optek Technology

OPB847TXV

جزء الأسهم: 356

الاستشعار عن بعد: 0.100" (2.54mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB892N55Z
TT Electronics/Optek Technology

OPB892N55Z

جزء الأسهم: 6062

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB872L55TX
TT Electronics/Optek Technology

OPB872L55TX

جزء الأسهم: 379

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB390N11
TT Electronics/Optek Technology

OPB390N11

جزء الأسهم: 5935

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB875P55
TT Electronics/Optek Technology

OPB875P55

جزء الأسهم: 6051

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB882N55
TT Electronics/Optek Technology

OPB882N55

جزء الأسهم: 6130

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB891P55
TT Electronics/Optek Technology

OPB891P55

جزء الأسهم: 6040

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB891T51
TT Electronics/Optek Technology

OPB891T51

جزء الأسهم: 5979

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB891L51Z
TT Electronics/Optek Technology

OPB891L51Z

جزء الأسهم: 5968

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB854A2
TT Electronics/Optek Technology

OPB854A2

جزء الأسهم: 6010

الاستشعار عن بعد: 0.100" (2.54mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB870P51TX
TT Electronics/Optek Technology

OPB870P51TX

جزء الأسهم: 327

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB871P55
TT Electronics/Optek Technology

OPB871P55

جزء الأسهم: 6005

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB360P55
TT Electronics/Optek Technology

OPB360P55

جزء الأسهم: 6102

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB845L55
TT Electronics/Optek Technology

OPB845L55

جزء الأسهم: 5933

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB892N55
TT Electronics/Optek Technology

OPB892N55

جزء الأسهم: 6102

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB872N55TX
TT Electronics/Optek Technology

OPB872N55TX

جزء الأسهم: 401

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات
OPB811W55
TT Electronics/Optek Technology

OPB811W55

جزء الأسهم: 9675

الاستشعار عن بعد: 0.375" (9.53mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

قائمة الرغبات