الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

XP151A12A2MR

XP151A12A2MR

جزء الأسهم: 114981

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP151A13A0MR-G

XP151A13A0MR-G

جزء الأسهم: 156410

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP161A11A1PR-G

XP161A11A1PR-G

جزء الأسهم: 195387

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
XP161A1265PR-G

XP161A1265PR-G

جزء الأسهم: 195381

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP152A11E5MR-G

XP152A11E5MR-G

جزء الأسهم: 143778

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 400mA, 10V,

قائمة الرغبات
XP162A11C0PR-G

XP162A11C0PR-G

جزء الأسهم: 195352

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
XP152A12C0MR-G

XP152A12C0MR-G

جزء الأسهم: 165085

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP151A11B0MR-G

XP151A11B0MR-G

جزء الأسهم: 117860

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
XP161A1355PR-G

XP161A1355PR-G

جزء الأسهم: 195365

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP162A12A6PR-G

XP162A12A6PR-G

جزء الأسهم: 195379

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP152A12C0MR

XP152A12C0MR

جزء الأسهم: 191478

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP161A1265PR

XP161A1265PR

جزء الأسهم: 195395

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
XP151A13A0MR

XP151A13A0MR

جزء الأسهم: 157292

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات