Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

ES2FHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHM4G

جزء الأسهم: 93

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
HS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2G M4G

جزء الأسهم: 106

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHM2G

جزء الأسهم: 75

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S3MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3MB M4G

جزء الأسهم: 69

نوع الصمام الثنائي: Standard, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V7G

جزء الأسهم: 111

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3G V7G

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SK13B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B M4G

جزء الأسهم: 70

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2K M4G

جزء الأسهم: 97

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S12GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V6G

جزء الأسهم: 65

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS3M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V6G

جزء الأسهم: 56

نوع الصمام الثنائي: Standard, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
ESH3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V6G

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 20ns,

قائمة الرغبات
S12JC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V6G

جزء الأسهم: 107

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AB R5G

جزء الأسهم: 75

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34 V6G

جزء الأسهم: 126

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2A M4G

جزء الأسهم: 77

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V7G

جزء الأسهم: 140

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S12JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V7G

جزء الأسهم: 89

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V6G

جزء الأسهم: 142

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS320 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS320 V6G

جزء الأسهم: 90

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V7G

جزء الأسهم: 123

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
SS29 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 M4G

جزء الأسهم: 57

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HM4G

جزء الأسهم: 115

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KA M2G

جزء الأسهم: 105

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
SK59BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHM4G

جزء الأسهم: 61

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MA M2G

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Standard, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
SS22HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22HR5G

جزء الأسهم: 112

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ESH2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2B R5G

جزء الأسهم: 76

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 20ns,

قائمة الرغبات
S1MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHM4G

جزء الأسهم: 119

نوع الصمام الثنائي: Standard, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHR3G

جزء الأسهم: 53

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ESH1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B R3G

جزء الأسهم: 144

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 15ns,

قائمة الرغبات
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHR3G

جزء الأسهم: 102

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
ESH2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA R3G

جزء الأسهم: 67

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
SS33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS33 V6G

جزء الأسهم: 58

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S4K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4K V6G

جزء الأسهم: 87

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23A M2G

جزء الأسهم: 111

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SK19BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHM4G

جزء الأسهم: 128

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات