محركات الأقراص المزودة بذاكرة مصنوعة من مكونات صلب

APM2T60P200032GAN-HTM1

APM2T60P200032GAN-HTM1

جزء الأسهم: 2410

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 405MB/s, السرعة - الكتابة: 170MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200032GAN-7TM

APM2T60P200032GAN-7TM

جزء الأسهم: 2408

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 510MB/s, السرعة - الكتابة: 180MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200032GAN-7TMW

APM2T60P200032GAN-7TMW

جزء الأسهم: 2442

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 510MB/s, السرعة - الكتابة: 180MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200032GAN-GTM1

APM2T60P200032GAN-GTM1

جزء الأسهم: 2442

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 405MB/s, السرعة - الكتابة: 170MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200016GAN-HTM1

APM2T60P200016GAN-HTM1

جزء الأسهم: 2385

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 215MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200016GAN-HTM1W

APM2T60P200016GAN-HTM1W

جزء الأسهم: 2368

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 215MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200016GAN-GTM1W

APM2T60P200016GAN-GTM1W

جزء الأسهم: 322

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 215MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200016GAN-7TMW

APM2T60P200016GAN-7TMW

جزء الأسهم: 2384

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 300MB/s, السرعة - الكتابة: 170MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T60P200016GAN-7TM

APM2T60P200016GAN-7TM

جزء الأسهم: 2426

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 300MB/s, السرعة - الكتابة: 170MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201256GAN-HTM1W

APM2T80P201256GAN-HTM1W

جزء الأسهم: 283

حجم الذاكرة: 256GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 430MB/s, السرعة - الكتابة: 160MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201256GAN-GTM1

APM2T80P201256GAN-GTM1

جزء الأسهم: 334

حجم الذاكرة: 256GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 430MB/s, السرعة - الكتابة: 160MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201256GAN-GTM1W

APM2T80P201256GAN-GTM1W

جزء الأسهم: 284

حجم الذاكرة: 256GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 430MB/s, السرعة - الكتابة: 160MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201128GAN-HTM1W

APM2T80P201128GAN-HTM1W

جزء الأسهم: 2398

حجم الذاكرة: 128GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 410MB/s, السرعة - الكتابة: 160MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201128GAN-GTM1W

APM2T80P201128GAN-GTM1W

جزء الأسهم: 443

حجم الذاكرة: 128GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 410MB/s, السرعة - الكتابة: 160MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201064GAN-HTM1W

APM2T80P201064GAN-HTM1W

جزء الأسهم: 2372

حجم الذاكرة: 64GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 415MB/s, السرعة - الكتابة: 155MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201064GAN-GTM1W

APM2T80P201064GAN-GTM1W

جزء الأسهم: 658

حجم الذاكرة: 64GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 415MB/s, السرعة - الكتابة: 155MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201128GAN-GTM1

APM2T80P201128GAN-GTM1

جزء الأسهم: 482

حجم الذاكرة: 128GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 410MB/s, السرعة - الكتابة: 160MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201032GAN-GTM1W

APM2T80P201032GAN-GTM1W

جزء الأسهم: 1037

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 230MB/s, السرعة - الكتابة: 130MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201064GAN-GTM1

APM2T80P201064GAN-GTM1

جزء الأسهم: 846

حجم الذاكرة: 64GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 415MB/s, السرعة - الكتابة: 155MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201032GAN-HTM1W

APM2T80P201032GAN-HTM1W

جزء الأسهم: 2426

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 230MB/s, السرعة - الكتابة: 130MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201032GAN-GTM1

APM2T80P201032GAN-GTM1

جزء الأسهم: 1201

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 230MB/s, السرعة - الكتابة: 130MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201016GAN-GTM1W

APM2T80P201016GAN-GTM1W

جزء الأسهم: 1201

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 215MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201016GAN-HTM1W

APM2T80P201016GAN-HTM1W

جزء الأسهم: 2345

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 215MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APM2T80P201016GAN-GTM1

APM2T80P201016GAN-GTM1

جزء الأسهم: 1566

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: M.2 Module, السرعة - القراءة: 215MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM032GN1HN-1TMW

APSDM032GN1HN-1TMW

جزء الأسهم: 2359

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 320MB/s, السرعة - الكتابة: 170MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM064GN1HN-2TMW

APSDM064GN1HN-2TMW

جزء الأسهم: 2339

حجم الذاكرة: 64GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 520MB/s, السرعة - الكتابة: 180MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM016GN1HN-1TMW

APSDM016GN1HN-1TMW

جزء الأسهم: 2342

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 315MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM032GN1HN-1TM

APSDM032GN1HN-1TM

جزء الأسهم: 2398

حجم الذاكرة: 32GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 320MB/s, السرعة - الكتابة: 170MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM008GN1HN-1TMW

APSDM008GN1HN-1TMW

جزء الأسهم: 2377

حجم الذاكرة: 8GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 150MB/s, السرعة - الكتابة: 45MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM256GM1HN-1TMW

APSDM256GM1HN-1TMW

جزء الأسهم: 2417

حجم الذاكرة: 256GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 520MB/s, السرعة - الكتابة: 170MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM016GN1HN-1TM

APSDM016GN1HN-1TM

جزء الأسهم: 2405

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 315MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM064GM1HN-1TMW

APSDM064GM1HN-1TMW

جزء الأسهم: 2345

حجم الذاكرة: 64GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 520MB/s, السرعة - الكتابة: 185MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM128GM1HN-1TMW

APSDM128GM1HN-1TMW

جزء الأسهم: 2335

حجم الذاكرة: 128GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 525MB/s, السرعة - الكتابة: 175MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM016GM1HN-1TMW

APSDM016GM1HN-1TMW

جزء الأسهم: 2353

حجم الذاكرة: 16GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 315MB/s, السرعة - الكتابة: 150MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM008GM1HN-1TMW

APSDM008GM1HN-1TMW

جزء الأسهم: 275

حجم الذاكرة: 8GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات
APSDM128GM1HN-1TM

APSDM128GM1HN-1TM

جزء الأسهم: 2364

حجم الذاكرة: 128GB, نوع الذاكرة: FLASH - NAND (MLC), شكل عامل: mSATA, السرعة - القراءة: 525MB/s, السرعة - الكتابة: 175MB/s, الجهد - العرض: 3.3V,

قائمة الرغبات