الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

BLC9H10XS-60PY

جزء الأسهم: 143

BLF888AS,112

جزء الأسهم: 380

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 860MHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 50V,

BLC9G20XS-550AVT

جزء الأسهم: 512

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.81GHz ~ 1.88GHz, ربح: 15.4dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLC9G22XS-400AVT

جزء الأسهم: 594

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.2GHz, ربح: 15.3dB, الجهد - اختبار: 32V,

BLF573S,112

جزء الأسهم: 704

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 225MHz, ربح: 27.2dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 42A,

BLF7G10LS-250,112

جزء الأسهم: 726

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 920MHz ~ 960MHz, ربح: 19.5dB, الجهد - اختبار: 30V,

BLP05H6350XRY

جزء الأسهم: 913

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 108MHz, ربح: 27dB, الجهد - اختبار: 50V,

BLF8G22LS-205VJ

جزء الأسهم: 787

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 18.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF7G27LS-100,112

جزء الأسهم: 921

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.5GHz ~ 2.7GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 28A,

BLA8G1011LS-300U

جزء الأسهم: 318

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.06GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 32V,

BLS6G3135-120,112

جزء الأسهم: 264

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 3.1GHz ~ 3.5GHz, ربح: 11dB, الجهد - اختبار: 32V, التصويت الحالي: 7.2A,

BLF7G20LS-200,112

جزء الأسهم: 769

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.81GHz ~ 1.88GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF6G27-10G,118

جزء الأسهم: 2357

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.5GHz ~ 2.7GHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 3.5A,

BLM9D2327S-50PBY

جزء الأسهم: 115

BLC10G22LS-240PVTY

جزء الأسهم: 706

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.2GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 1.4µA,

BLC9G20XS-400AVT

جزء الأسهم: 574

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 1.81GHz ~ 1.88GHz, ربح: 16.2dB, الجهد - اختبار: 32V,

BLP05H6150XRY

جزء الأسهم: 1060

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 108MHz, ربح: 27dB, الجهد - اختبار: 50V,

BLF8G09LS-270GWJ

جزء الأسهم: 776

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 718.5MHz ~ 725.5MHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLP05H6110XRY

جزء الأسهم: 1232

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 108MHz, ربح: 27dB, الجهد - اختبار: 50V,

BLF8G27LS-100V,118

جزء الأسهم: 1125

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.5GHz ~ 2.7GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLC8G22LS-450AVZ

جزء الأسهم: 493

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 14dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF8G20LS-160VJ

جزء الأسهم: 943

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.81GHz ~ 1.88GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF8G22LS-200GVJ

جزء الأسهم: 808

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF8G27LS-150VJ

جزء الأسهم: 985

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.6GHz ~ 2.7GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF8G22LS-200GV,12

جزء الأسهم: 735

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLC9G20LS-150PVY

جزء الأسهم: 1032

BLM7G1822S-80ABGY

جزء الأسهم: 1215

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.17GHz, ربح: 31dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF2425M9LS30J

جزء الأسهم: 1293

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.45GHz, ربح: 18.5dB, الجهد - اختبار: 32V,

BLP05H675XRGY

جزء الأسهم: 1416

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 108MHz, ربح: 27dB, الجهد - اختبار: 50V,

BLF7G22LS-250P,118

جزء الأسهم: 635

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 18.5dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 65A,

BLC8G27LS-140AVY

جزء الأسهم: 980

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), Common Source, تكرر: 2.5GHz ~ 2.69GHz, ربح: 14.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLA8G1011L-300U

جزء الأسهم: 304

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.06GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 32V,

BLP7G22-05Z

جزء الأسهم: 9917

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.14GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLF8G22LS-270J

جزء الأسهم: 765

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 17.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

BLC10G22XS-400AVTY

جزء الأسهم: 151

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.2GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 2.8µA,

BLF8G10LS-270V,112

جزء الأسهم: 670

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 871.5MHz ~ 891.5MHz, ربح: 19.5dB, الجهد - اختبار: 28V,