PMIC - بوابات السائقين

1SD418F2-CM800HB-66H

جزء الأسهم: 1237

1SD418F2-CM800E2C-66H

جزء الأسهم: 1187

1SD418F2-CM1200HB-66H

جزء الأسهم: 1213

1SD418F2-5SNA1200E250100

جزء الأسهم: 1262

1SD418F2-5SNA1200E330100

جزء الأسهم: 1179

1SD418F2-5SNA1500E330300

جزء الأسهم: 1207

1SD312F2-MG900GXH1US53

جزء الأسهم: 1086

1SD312F2-CM900HC-90H

جزء الأسهم: 1106

1SD312F2-DIM600NSM45-F000

جزء الأسهم: 1120

1SD312F2-CM900HB-90H

جزء الأسهم: 1101

1SD312F2-CM600HB-90H

جزء الأسهم: 1066

1SD312F2-CM1200HC-90R

جزء الأسهم: 1071

1SD312F2-CM400HB-90H

جزء الأسهم: 1036

1SD1548AI

جزء الأسهم: 1062

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 15V,

1SD418F2-FZ1500R25KF1

جزء الأسهم: 8942

2SD315AI-33

جزء الأسهم: 69

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 15V,

2SC0635T2A1-45

جزء الأسهم: 348

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0535T2G0-33

جزء الأسهم: 413

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0535T2A1-33

جزء الأسهم: 445

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320V2A0-17

جزء الأسهم: 477

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320V2A0-12

جزء الأسهم: 524

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SD316EI-17

جزء الأسهم: 111

2SC0650P2C0-17

جزء الأسهم: 503

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SC0650P2A0-17

جزء الأسهم: 525

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SD316EI-12

جزء الأسهم: 110

2SP0320T2B0-12

جزء الأسهم: 529

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2A0-12

جزء الأسهم: 533

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2C0-12

جزء الأسهم: 476

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2A0-17

جزء الأسهم: 464

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SP0320T2C0-17

جزء الأسهم: 496

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.5V ~ 15.5V,

2SD300C17A2

جزء الأسهم: 668

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14V ~ 16V,

2SD300C17A3

جزء الأسهم: 610

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14V ~ 16V,

2SD300C17A4

جزء الأسهم: 155

2SD315AI UL

جزء الأسهم: 660

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 15V,

2SD315AI

جزء الأسهم: 124

2SD106AI-17 UL

جزء الأسهم: 731

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 15V,