الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

2SB07100RL

2SB07100RL

جزء الأسهم: 5516

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SB167900L

2SB167900L

جزء الأسهم: 5467

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
2SC559200L

2SC559200L

جزء الأسهم: 5457

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
2SA20570P

2SA20570P

جزء الأسهم: 5479

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
2SC57390P

2SC57390P

جزء الأسهم: 5468

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
2SD1423A

2SD1423A

جزء الأسهم: 5471

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 85 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SA1309A0A

2SA1309A0A

جزء الأسهم: 5508

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SD23750P

2SD23750P

جزء الأسهم: 5440

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 800 @ 500mA, 4V,

قائمة الرغبات
2SD0968A0L

2SD0968A0L

جزء الأسهم: 5515

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SD0874A0L

2SD0874A0L

جزء الأسهم: 5435

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 85 @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SD2216J0L

2SD2216J0L

جزء الأسهم: 5515

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SD244100L

2SD244100L

جزء الأسهم: 5440

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 25mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 400mA, 1V,

قائمة الرغبات
2SD22100RL

2SD22100RL

جزء الأسهم: 5471

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
2SD21850RL

2SD21850RL

جزء الأسهم: 5490

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 200mA, 2V,

قائمة الرغبات
2SD2137APA

2SD2137APA

جزء الأسهم: 5446

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
2SD21390PA

2SD21390PA

جزء الأسهم: 5502

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 800 @ 500mA, 4V,

قائمة الرغبات
2SB09560RL

2SB09560RL

جزء الأسهم: 5464

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
2SB0766ARL

2SB0766ARL

جزء الأسهم: 5462

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SB158900L

2SB158900L

جزء الأسهم: 5452

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 25mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 400mA, 1V,

قائمة الرغبات
2SB10730RL

2SB10730RL

جزء الأسهم: 5429

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
2SB1462J0L

2SB1462J0L

جزء الأسهم: 5453

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SD25490P

2SD25490P

جزء الأسهم: 6640

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
2SD0946B

2SD0946B

جزء الأسهم: 5424

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
2SD2374AP

2SD2374AP

جزء الأسهم: 5496

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
2SD20000P

2SD20000P

جزء الأسهم: 5418

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
2SD2018

2SD2018

جزء الأسهم: 5487

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6500 @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
2SD14990P

2SD14990P

جزء الأسهم: 5414

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
2SD1277AP

2SD1277AP

جزء الأسهم: 5500

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 8mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 4A, 3V,

قائمة الرغبات
2SD1276AP

2SD1276AP

جزء الأسهم: 5496

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 20mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 3A, 3V,

قائمة الرغبات
2SD1275AP

2SD1275AP

جزء الأسهم: 5417

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 2A, 4V,

قائمة الرغبات
2SD1271AP

2SD1271AP

جزء الأسهم: 5436

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 250mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 3A, 2V,

قائمة الرغبات
2SD1264AP

2SD1264AP

جزء الأسهم: 5423

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 180V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SC51210P

2SC51210P

جزء الأسهم: 5442

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SC4953

2SC4953

جزء الأسهم: 5493

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 300mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 1.2A, 2V,

قائمة الرغبات
2SC4212H

2SC4212H

جزء الأسهم: 5443

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 10mA, 10V,

قائمة الرغبات
2SC3943

2SC3943

جزء الأسهم: 6574

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 15mA, 150mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات