الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف

XP0650100L

XP0650100L

جزء الأسهم: 4469

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XN0450600L

XN0450600L

جزء الأسهم: 4463

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 500 @ 4mA, 2V,

قائمة الرغبات
XN0A55400L

XN0A55400L

جزء الأسهم: 105690

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 10mA, 1V,

قائمة الرغبات
XP0550100L

XP0550100L

جزء الأسهم: 5664

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMA904010R

DMA904010R

جزء الأسهم: 102344

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XN0440100L

XN0440100L

جزء الأسهم: 4564

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMG204A00R

DMG204A00R

جزء الأسهم: 169926

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
UP0453400L

UP0453400L

جزء الأسهم: 4538

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 65 @ 1mA, 6V,

قائمة الرغبات
XN0B30100L

XN0B30100L

جزء الأسهم: 6508

نوع الترانزستور: NPN, PNP Complementary Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMA506010R

DMA506010R

جزء الأسهم: 147841

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
UP0460100L

UP0460100L

جزء الأسهم: 4382

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 10V / 180 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UP04501G0L

UP04501G0L

جزء الأسهم: 4634

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMC206E20R

DMC206E20R

جزء الأسهم: 145856

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 65 @ 1mA, 6V,

قائمة الرغبات
XN0450400L

XN0450400L

جزء الأسهم: 4657

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
XN0440200L

XN0440200L

جزء الأسهم: 4456

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 85 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
XP0553100L

XP0553100L

جزء الأسهم: 4434

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 5mA, 4V,

قائمة الرغبات
DMC205C00R

DMC205C00R

جزء الأسهم: 149770

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMA502010R

DMA502010R

جزء الأسهم: 194193

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XN0440400L

XN0440400L

جزء الأسهم: 4416

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
XN0553100L

XN0553100L

جزء الأسهم: 4467

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 5mA, 4V,

قائمة الرغبات
XP0C30100L

XP0C30100L

جزء الأسهم: 4375

نوع الترانزستور: NPN, PNP Complementary Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
UP0459900L

UP0459900L

جزء الأسهم: 118190

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 2mA, 10V / 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XP0240100L

XP0240100L

جزء الأسهم: 4458

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMC505010R

DMC505010R

جزء الأسهم: 161415

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XP0654300L

XP0654300L

جزء الأسهم: 4400

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 20mA, 8V,

قائمة الرغبات
XP0640100L

XP0640100L

جزء الأسهم: 154774

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XN0643500L

XN0643500L

جزء الأسهم: 4477

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 1mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMA504010R

DMA504010R

جزء الأسهم: 120939

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XN0640100L

XN0640100L

جزء الأسهم: 4394

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XP0653400L

XP0653400L

جزء الأسهم: 6508

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 1mA, 6V,

قائمة الرغبات
DMC201A00R

DMC201A00R

جزء الأسهم: 128623

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Common Emitter, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
XP0440100L

XP0440100L

جزء الأسهم: 4403

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
XN0653400L

XN0653400L

جزء الأسهم: 4432

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 1mA, 6V,

قائمة الرغبات
NP0A45600A

NP0A45600A

جزء الأسهم: 4637

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 1V,

قائمة الرغبات
DMA204020R

DMA204020R

جزء الأسهم: 120989

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMC504010R

DMC504010R

جزء الأسهم: 130533

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات