الترانزستورات - ثنائية القطب (BJT) - أحادية ، منحا

UNR211100L

UNR211100L

جزء الأسهم: 1992

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRA9144E0L

DRA9144E0L

جزء الأسهم: 150130

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR9115J0L

UNR9115J0L

جزء الأسهم: 136579

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR5114G0L

UNR5114G0L

جزء الأسهم: 3271

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR52AEG0L

UNR52AEG0L

جزء الأسهم: 1882

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR521WG0L

UNR521WG0L

جزء الأسهم: 1967

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR5119G0L

UNR5119G0L

جزء الأسهم: 160380

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR5111G0L

UNR5111G0L

جزء الأسهم: 1872

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRC2114E0L

DRC2114E0L

جزء الأسهم: 125127

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR5213G0L

UNR5213G0L

جزء الأسهم: 2154

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR921KJ0L

UNR921KJ0L

جزء الأسهم: 3253

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRC5123E0L

DRC5123E0L

جزء الأسهم: 157476

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 2.2 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRA5123Y0L

DRA5123Y0L

جزء الأسهم: 145731

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR51A1G0L

UNR51A1G0L

جزء الأسهم: 1963

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR511400L

UNR511400L

جزء الأسهم: 132575

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRA9114T0L

DRA9114T0L

جزء الأسهم: 121364

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR911FJ0L

UNR911FJ0L

جزء الأسهم: 1990

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR9112J0L

UNR9112J0L

جزء الأسهم: 181729

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR521LG0L

UNR521LG0L

جزء الأسهم: 197818

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR9114G0L

UNR9114G0L

جزء الأسهم: 1940

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR921KG0L

UNR921KG0L

جزء الأسهم: 1920

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR921BG0L

UNR921BG0L

جزء الأسهم: 1970

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR9110J0L

UNR9110J0L

جزء الأسهم: 138888

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRC9124X0L

DRC9124X0L

جزء الأسهم: 123766

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR92A1G0L

UNR92A1G0L

جزء الأسهم: 2019

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR91A4G0L

UNR91A4G0L

جزء الأسهم: 1958

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR52AMG0L

UNR52AMG0L

جزء الأسهم: 1897

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR32A3G0L

UNR32A3G0L

جزء الأسهم: 1862

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR31AEG0L

UNR31AEG0L

جزء الأسهم: 3237

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR5210G0L

UNR5210G0L

جزء الأسهم: 2066

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR92AFG0L

UNR92AFG0L

جزء الأسهم: 1952

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR911NJ0L

UNR911NJ0L

جزء الأسهم: 1998

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR51A3G0L

UNR51A3G0L

جزء الأسهم: 1904

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRC2143E0L

DRC2143E0L

جزء الأسهم: 140651

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DRC5114W0L

DRC5114W0L

جزء الأسهم: 118967

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
UNR91A5G0L

UNR91A5G0L

جزء الأسهم: 1950

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات