الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

2SK3047

2SK3047

جزء الأسهم: 8914

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
2SK3044

2SK3044

جزء الأسهم: 8928

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 450V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
FM6K62010L

FM6K62010L

جزء الأسهم: 139710

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
FK3506010L

FK3506010L

جزء الأسهم: 128171

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

قائمة الرغبات
MTM861240LBF

MTM861240LBF

جزء الأسهم: 149538

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
FL6L52030L

FL6L52030L

جزء الأسهم: 106438

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

قائمة الرغبات
MTM861280LBF

MTM861280LBF

جزء الأسهم: 136480

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

قائمة الرغبات
FL6L52070L

FL6L52070L

جزء الأسهم: 110076

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

قائمة الرغبات
SK8403160L

SK8403160L

جزء الأسهم: 154055

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 14.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FM6L52020L

FM6L52020L

جزء الأسهم: 184582

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
FJ3303010L

FJ3303010L

جزء الأسهم: 139518

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 10mA, 4V,

قائمة الرغبات
SK8403190L

SK8403190L

جزء الأسهم: 140816

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V,

قائمة الرغبات
FK3906010L

FK3906010L

جزء الأسهم: 191710

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

قائمة الرغبات
MTM761110LBF

MTM761110LBF

جزء الأسهم: 132833

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
MTM861270LBF

MTM861270LBF

جزء الأسهم: 186233

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
FK8V03020L

FK8V03020L

جزء الأسهم: 179758

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 33V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
FJ3P02100L

FJ3P02100L

جزء الأسهم: 170336

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SK8603150L

SK8603150L

جزء الأسهم: 49829

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), 89A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
FK8V03060L

FK8V03060L

جزء الأسهم: 119517

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 33V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات
MTM981400BBF

MTM981400BBF

جزء الأسهم: 60210

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
SK8403170L

SK8403170L

جزء الأسهم: 170273

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Ta), 59A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.1 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
FK8V03030L

FK8V03030L

جزء الأسهم: 134632

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 33V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
FL6L52010L

FL6L52010L

جزء الأسهم: 146849

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
MTM982400BBF

MTM982400BBF

جزء الأسهم: 50877

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
MTM761230LBF

MTM761230LBF

جزء الأسهم: 110440

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
FK6K02010L

FK6K02010L

جزء الأسهم: 118686

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.5 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
FK8V03050L

FK8V03050L

جزء الأسهم: 191195

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 33V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
FK8V03040L

FK8V03040L

جزء الأسهم: 147375

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 33V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SK8603160L

SK8603160L

جزء الأسهم: 151831

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 17A, 10V,

قائمة الرغبات
FK3P02110L

FK3P02110L

جزء الأسهم: 116460

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 3A, 2.5V,

قائمة الرغبات
FL5252050R

FL5252050R

جزء الأسهم: 159382

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
MTM131270BBF

MTM131270BBF

جزء الأسهم: 113071

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
FJ6K01010L

FJ6K01010L

جزء الأسهم: 149431

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SK8603190L

SK8603190L

جزء الأسهم: 172926

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
SK8603140L

SK8603140L

جزء الأسهم: 98069

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Ta), 103A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات
FL6L52060L

FL6L52060L

جزء الأسهم: 137602

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات