أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User),
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8.2kB (User),
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User),
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Active, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User),
أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.36kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 254kB (User),
أسلوب: Coin, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User),
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 96b (EPC), المعايير: EPC,
أسلوب: Card, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 254kB (User),
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8.2kB (User),
