الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 4

PMDXB550UNEZ

جزء الأسهم: 183268

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 590mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKV,115

جزء الأسهم: 163831

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 400mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

NX138AKSF

جزء الأسهم: 110186

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

NX1029X,115

جزء الأسهم: 166606

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 330mA, 170mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PMGD780SN,115

جزء الأسهم: 171536

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 490mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

NX7002BKXBZ

جزء الأسهم: 151844

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XP,115

جزء الأسهم: 189968

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKSH

جزء الأسهم: 194648

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 350mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

NX6020CAKSX

جزء الأسهم: 2501

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PMDPB58UPE,115

جزء الأسهم: 173425

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PMDPB55XP,115

جزء الأسهم: 147136

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPEZ

جزء الأسهم: 193079

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

جزء الأسهم: 177961

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 800mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

جزء الأسهم: 137499

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

جزء الأسهم: 177076

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 220mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

قائمة الرغبات