الترانزستورات - ثنائية القطب (BJT) - أحادية ، منحا | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 9

PDTC124EQAZ

جزء الأسهم: 147093

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA124EMB,315

جزء الأسهم: 112650

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC144VM,315

جزء الأسهم: 109873

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA115EM,315

جزء الأسهم: 131874

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTD143EQAZ

جزء الأسهم: 176562

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC143XMB,315

جزء الأسهم: 152954

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA113ZM,315

جزء الأسهم: 110870

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC114TM,315

جزء الأسهم: 189804

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC123JQAZ

جزء الأسهم: 105998

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC144EM,315

جزء الأسهم: 129153

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA123EM,315

جزء الأسهم: 124383

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 2.2 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 20mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA143XM,315

جزء الأسهم: 154115

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA114TM,315

جزء الأسهم: 198000

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA124EQAZ

جزء الأسهم: 170547

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC144EMB,315

جزء الأسهم: 190661

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC144TMB,315

جزء الأسهم: 154216

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC115TMB,315

جزء الأسهم: 153500

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA144EMB,315

جزء الأسهم: 150999

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA114YMB,315

جزء الأسهم: 145292

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC114YM,315

جزء الأسهم: 108095

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA113ZMB,315

جزء الأسهم: 193173

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC115EM,315

جزء الأسهم: 178231

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA123YM,315

جزء الأسهم: 129409

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA124TMB,315

جزء الأسهم: 108091

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA144VMB,315

جزء الأسهم: 115197

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC114YMB,315

جزء الأسهم: 177792

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC144TM,315

جزء الأسهم: 113939

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA123JMB,315

جزء الأسهم: 118497

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC143EM,315

جزء الأسهم: 126241

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTD113EQAZ

جزء الأسهم: 130400

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 1 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 33 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA143EU,115

جزء الأسهم: 137481

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTB123YQAZ

جزء الأسهم: 130680

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTB123YT,215

جزء الأسهم: 140080

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA115TM,315

جزء الأسهم: 168789

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTA123JM,315

جزء الأسهم: 118429

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات

Nexperia USA Inc.

PDTC123JMB,315

جزء الأسهم: 109986

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات