Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

PMXB75UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB75UPEZ

جزء الأسهم: 146149

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات
PSMN2R9-30MLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN2R9-30MLC,115

جزء الأسهم: 187425

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PMZ290UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNEYL

جزء الأسهم: 176774

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
PMPB29XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB29XPE,115

جزء الأسهم: 161790

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
PMPB43XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB43XPE,115

جزء الأسهم: 150444

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN6R0-30YL,115

جزء الأسهم: 110102

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 79A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PMPB20ENZ
Nexperia USA Inc.

PMPB20ENZ

جزء الأسهم: 151810

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN038-100YLX

جزء الأسهم: 176205

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 37.5 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
NX7002BKMYL
Nexperia USA Inc.

NX7002BKMYL

جزء الأسهم: 169872

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 350mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
NX138BKWF
Nexperia USA Inc.

NX138BKWF

جزء الأسهم: 157911

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 210mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.

PMV65ENEAR

جزء الأسهم: 178628

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.

PMV45EN2VL

جزء الأسهم: 177740

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 4.1A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN015-100YLX

جزء الأسهم: 176542

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 69A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.

PMV65XPVL

جزء الأسهم: 186436

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN6R1-25MLDX

جزء الأسهم: 173485

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.24 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PMV250EPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV250EPEAR

جزء الأسهم: 196012

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 1.3A, 10V,

قائمة الرغبات
PMPB13XNE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB13XNE,115

جزء الأسهم: 151250

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
PMXB56ENZ
Nexperia USA Inc.

PMXB56ENZ

جزء الأسهم: 169018

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.

PMT280ENEAX

جزء الأسهم: 142017

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 385 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات