Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

PSMN7R0-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100BS,118

جزء الأسهم: 55875

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN3R3-60PLQ
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-60PLQ

جزء الأسهم: 27251

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN5R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-100PS,127

جزء الأسهم: 22124

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN2R0-30PL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-30PL,127

جزء الأسهم: 42173

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PHB191NQ06LT,118
Nexperia USA Inc.

PHB191NQ06LT,118

جزء الأسهم: 67371

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN8R7-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN8R7-80BS,118

جزء الأسهم: 87221

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN7R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.

PSMN7R8-100PSEQ

جزء الأسهم: 31596

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN6R5-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80PS,127

جزء الأسهم: 38019

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN6R3-120PS
Nexperia USA Inc.

PSMN6R3-120PS

جزء الأسهم: 23121

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 120V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN9R5-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-100BS,118

جزء الأسهم: 72964

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 89A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMNR90-30BL,118
Nexperia USA Inc.

PSMNR90-30BL,118

جزء الأسهم: 42984

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN017-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN017-80BS,118

جزء الأسهم: 121312

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN6R5-80BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80BS,118

جزء الأسهم: 73024

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN1R1-30EL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-30EL,127

جزء الأسهم: 26255

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PHB47NQ10T,118
Nexperia USA Inc.

PHB47NQ10T,118

جزء الأسهم: 75280

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 47A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN4R2-30MLDX

جزء الأسهم: 114488

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PHB20N06T,118
Nexperia USA Inc.

PHB20N06T,118

جزء الأسهم: 191359

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia USA Inc.

PSMN1R6-30PL,127

جزء الأسهم: 22831

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN012-60YS,115

جزء الأسهم: 149981

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 59A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.1 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN3R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN3R5-30YL,115

جزء الأسهم: 192264

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN3R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-60ES,127

جزء الأسهم: 31195

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN2R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-30YL,115

جزء الأسهم: 195660

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN015-60PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN015-60PS,127

جزء الأسهم: 64261

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN4R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100PSEQ

جزء الأسهم: 17601

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-30YLC,115

جزء الأسهم: 119194

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN7R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100PS,127

جزء الأسهم: 38971

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN1R9-40PLQ
Nexperia USA Inc.

PSMN1R9-40PLQ

جزء الأسهم: 21760

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PHP30NQ15T,127
Nexperia USA Inc.

PHP30NQ15T,127

جزء الأسهم: 46960

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 29A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN3R3-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-80PS,127

جزء الأسهم: 23446

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN017-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN017-80PS,127

جزء الأسهم: 59097

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
PH955L,115
Nexperia USA Inc.

PH955L,115

جزء الأسهم: 62022

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 62.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PMXB65UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB65UPEZ

جزء الأسهم: 100221

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.

PSMN165-200K,518

جزء الأسهم: 132385

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R2-40PS,127

جزء الأسهم: 31848

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN003-30P,127
Nexperia USA Inc.

PSMN003-30P,127

جزء الأسهم: 71600

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
PSMN8R5-100ESQ
Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-100ESQ

جزء الأسهم: 39385

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات