الاستشعار عن بعد: 1.5mm, طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 1.5mm, طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 1.5mm, طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
الاستشعار عن بعد: 1.5mm, طريقة الاستشعار: Reflective, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 30mA, نوع الإخراج: Phototransistor,
