الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

منزل، بيت
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IXFN26N120P

جزء الأسهم: 1837

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 460 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFB50N80Q2

جزء الأسهم: 2147

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFH96N15P

جزء الأسهم: 14160

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 96A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXTT69N30P

جزء الأسهم: 8571

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 69A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXTH5N100A

جزء الأسهم: 7982

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFK21N100Q

جزء الأسهم: 3682

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFR24N90P

جزء الأسهم: 6859

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 460 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA220N04T2-7

جزء الأسهم: 14196

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 220A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFH7N100P

جزء الأسهم: 184

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFQ10N80P

جزء الأسهم: 23935

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTQ110N10P

جزء الأسهم: 15157

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFN170N30P

جزء الأسهم: 2254

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 138A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 85A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTH3N120

جزء الأسهم: 12407

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXTT26N50P

جزء الأسهم: 12672

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات

MMIX1F180N25T

جزء الأسهم: 2116

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 132A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFA4N100P

جزء الأسهم: 27528

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFR20N120P

جزء الأسهم: 3650

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 630 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTP32P05T

جزء الأسهم: 34287

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFN120N65X2

جزء الأسهم: 2381

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 108A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 54A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFH50N60X

جزء الأسهم: 9186

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 73 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTH64N65X

جزء الأسهم: 5906

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 32A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA12N50P

جزء الأسهم: 44861

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFR30N60P

جزء الأسهم: 7923

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA50N20P

جزء الأسهم: 23878

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFB170N30P

جزء الأسهم: 3342

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 85A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTT96N20P

جزء الأسهم: 11009

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 96A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA4N65X2

جزء الأسهم: 40412

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA90N055T2

جزء الأسهم: 38611

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA48N20T

جزء الأسهم: 27038

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 48A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFN48N60P

جزء الأسهم: 3461

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTK17N120L

جزء الأسهم: 2426

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 8.5A, 20V,

قائمة الرغبات

IXFK94N50P2

جزء الأسهم: 5625

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 94A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA230N075T2

جزء الأسهم: 16257

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFP36N30P3

جزء الأسهم: 23500

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA26P10T

جزء الأسهم: 29598

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFL82N60P

جزء الأسهم: 3500

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 41A, 10V,

قائمة الرغبات

2148

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»