الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

منزل، بيت
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IXTQ74N20P

جزء الأسهم: 15744

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 74A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFP8N85X

جزء الأسهم: 42921

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 850V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA230N075T2-7

IXTA230N075T2-7

جزء الأسهم: 14892

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFX520N075T2

جزء الأسهم: 6716

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 520A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFA230N075T2

جزء الأسهم: 18123

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTP20N65X

جزء الأسهم: 9894

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 210 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFT30N60P

جزء الأسهم: 10112

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFX32N80P

جزء الأسهم: 7126

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFH46N65X2

جزء الأسهم: 9194

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 76 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTR90P10P

جزء الأسهم: 7107

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 57A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 45A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFA10N80P

جزء الأسهم: 26241

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTT96N15P

جزء الأسهم: 13099

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 96A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFH10N100P

جزء الأسهم: 13065

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFA7N100P

جزء الأسهم: 16441

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFP102N15T

جزء الأسهم: 16897

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 102A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFQ72N20X3

جزء الأسهم: 218

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 72A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 36A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTA62N15P

جزء الأسهم: 23940

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 62A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 31A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFN90N30

جزء الأسهم: 2562

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 45A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFL100N50P

جزء الأسهم: 3541

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFP110N15T2

جزء الأسهم: 25389

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 55A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFH96N20P

جزء الأسهم: 12134

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 96A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFH94N30P3

جزء الأسهم: 6837

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 94A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 47A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTP1R4N100P

جزء الأسهم: 34060

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFN102N30P

جزء الأسهم: 3698

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 88A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXTK32P60P

جزء الأسهم: 4880

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTP1R6N100D2

جزء الأسهم: 36008

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 800mA, 0V,

قائمة الرغبات

IXFH18N60X

جزء الأسهم: 11341

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFA230N075T2-7

IXFA230N075T2-7

جزء الأسهم: 17296

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTP05N100M

جزء الأسهم: 28393

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 Ohm @ 375mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXTT50P10

جزء الأسهم: 9450

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFY8N65X2

جزء الأسهم: 176

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTT24P20

جزء الأسهم: 9051

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

IXFK88N30P

جزء الأسهم: 6789

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 88A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 44A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTP260N055T2

جزء الأسهم: 16656

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات

IXFN32N100P

جزء الأسهم: 2878

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 320 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

IXTP8N65X2M

جزء الأسهم: 36069

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات

2148

«
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
»