نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.7ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.71V ~ 1.89V, عدد عناصر / كتل المنطق: 240, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
